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本发明提供一种改善套刻精度的方法，提供晶圆，在晶圆上形成有前层结构以及位于前层结构上的当层结构，前层结构上形成有前层套刻标记；在前层结构上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层形成刻蚀图案以及当层套刻标记，之后进行显影后检测，根据前层套刻标记和当层套刻标记获取第一误差；以刻蚀图案为掩膜刻蚀当层结构，用以形成刻蚀后图形，之后进行刻蚀后检测，根据刻蚀后图形获取第二误差，第二误差为刻蚀的偏移量；通过第一、二误差获取补偿值，光刻机的套刻精度补正系统利用补偿值修正当前批次或下一批次晶圆的套刻精度。本发明基于刻蚀后
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116520646 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310450454.8 (22)申请日 2023.04.25 (71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司 地址
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