半导体工艺装置及其射频匹配方法.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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半导体工艺装置及其射频匹配方法.pdf

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本发明提供一种应用于半导体工艺装置的射频匹配方法，包括控制每个射频电源按照预设射频功率进行输出，以使腔体内启辉并生成等离子体；检测反射至射频电源的反射功率；调节匹配器，使反射功率与预设射频功率的比值小于反射比例阈值；获取当前各工艺腔室的射频电极的射频电极电压信号；确定各工艺腔室对应的峰峰值之间的差异是否在设定范围内；如不在设定范围内，将最大的峰峰值作为参考峰峰值；则增大峰峰值小于参考峰峰值的工艺腔室对应的射频功率，并转向执行检测反射功率的步骤，直到各工艺腔室对应的峰峰值之间的差异在设定范围内。本

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525398 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310486849.3 C23C 16/52 (2006.01) (22)申请日 2023.04.