MOS型半导体器件测试设备.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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MOS型半导体器件测试设备.pdf

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本公开提供一种MOS型半导体器件测试设备。该包括：载台，用于承载被测MOS型半导体器件，并与被测MOS型半导体器件的漏/集电极导电接触；基板，包括绝缘基底，设置在绝缘基底上的驱动电路、切换控制电路、和阈值测量电路；一对或多对探针，固定在绝缘基底上，且与切换控制电路电连接，切换控制电路用于控制任意一对探针与驱动电路的通断以及与阈值测量电路的通断，其中，任意一对探针用于分别导电接触一个被测MOS型半导体器件的栅极和源/发射极，且基板可移动以使探针脱离或接触被测MOS型半导体器件。该设备测试准确性较高

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116520114 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310225572.9 (22)申请日 2023.03.09 (71)申请人重庆大学地址 400044