YS_T 14-2015异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法.pdf

ICS 77.040YSH 21中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 14---2015代替YS/T14—1991异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法Test method for thickness of heteroepitaxy layers and polycrystalline layers2015-04-30发布2015-10-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 中华人民共和国有色金属行业标准异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14--2015*中国标准出版社出版发行北京市朝阳区和平里西街甲2号（100029)北京市西城区三里河北街16号（100045）网址 总编室：（010行中心：（010者服务部：（010国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷各地新华书店经销*开本 880×1230 1/16印张 0.5字数 ８8千字2016年4月第一版　2016年4月第一次印刷*书号：155066·2-29136如有印装差错由本社发行中心调换版权专有侵权必究举报电话：（010 YS/T 14-2015前言本标准按照GB/T 1.1一2009给出的规则起草。本标准代替YS/T14--1991《异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法》。本标准与YS/T14一1991《异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法》相比主要变化如下：-增加了规范性引用文件和于扰因素；-方法提要中用表面台阶仪测量台阶高度代替表面光洁度仪测量台阶高度；修改了试样制备过程、测量步骤及图1、图2；一重新计算了精密度。本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)提出并归口。本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、有研新材料股份有限公司、上海晶盟硅材料有限公司。本标准主要起草人：马林宝、杨帆、葛华、刘小青、孙燕、徐新华。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：YS/T 14-1991. YS/T 14—2015异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法1范围本标准规定了异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法。本标准适用于测量衬底与沉积层之间界面层厚度小于100nm的异质外延层和硅多晶层的厚度，测量范围为 1 μm～100 μm。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T14264半导体材料术语GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4　方法提要在待测试样的表面，除留出一定测量区域外全部用蜡掩藏，将预留区域内的被测量层腐蚀掉，形成一个台阶。除去掩膜蜡，用表面台阶仪测量台阶的高度，便可得到异质外延层或硅多晶层的厚度。5干扰因素5.1环境温湿度、仪器震动会影响测量结果。5.2试样表面处理后的光洁度会影响测量轨迹。5.3两条测量轨迹线的不平行度会影响测量精度。6试剂和材料6.1氢氟酸:p=1.15 g/mL,分析纯。6.2 硝酸:p=1.42 g/mL,分析纯。6.33高纯水：电阻率大于2Mα·cm(25℃）。6.4　三氯乙烯:分析纯。6.5无水乙醇：分析纯。6.6化学腐蚀剂A：氢氟酸（6.1）：硝酸（6.2）一1：80的混合液。6.7化学腐蚀剂B:氢氟酸(6.1）：硝酸(6.2)=1：10 的混合液。 YS/T 14—20156.8掩膜蜡：能抵抗化学腐蚀剂A(6.6)和化学腐蚀剂B(6.7)的作用，软化温度范围为60℃～90℃，能完全溶解在三氯乙烯（6.4)中的石蜡。6.9 滤纸。7仪器7.1表面台阶仪，应有供校准用的台阶标准块。7.2 划片机。7.3红外灯干燥箱。7.4　照明装置，能产生一束直径不小于 20 mm 的高强度（≥5001x)平行光束。7.5电热板，能使其表面温度保持在100℃士10℃。7.6聚丙烯、聚乙烯或氟塑料烧杯。8测试环境除另有规定外，应在下列环境中进行测试：a）温度：(21±5)℃;b）湿度≤70%RH;c）周围无腐蚀气氛及震动。9试样制备9.1将试样分成两半，一半供测量层厚用，另一半保留，必要时作验证用。验证按GB/T 6617规定的扩展电阻探针法进行，如用红外反射法可测量出被测层厚度，也可按GB/T14847规定的红外反射测量方法进行。9.2在试样表面均匀涂上掩膜蜡（6.8），并留出5mm～10mm宽的矩形狭条使蜡流动，保持蜡层光滑均匀。9.3化学腐蚀剂与衬底不应发生显著的化学反应。厚度1 μm～2.5 μm(包括2.5 μm)的异质外延层或硅多晶层试样采用化学腐蚀剂A(6.6)厚度2.5μm～100