DL_T 1663-2016智能变电站继电保护在线监视和智能诊断技术导则.pdf

ICS 29.240K 45DL备索号：572152017中华人民共和国电力行业标准DL/T 1663—2016智能变电站继电保护在线监视和智能诊断技术导则Technical guidelines for on-line monitoring and intelligent diagnosisof relayingprotection in smart substation2016-12-05发布2017-05-01实施国家能源局发布 DL /T1663—2016目次前言范围2规范性引用文件3术语和定义4一般要求5功能要求o远程功能展示要求8性能指标9通信协议附录A（资料性附录）过程层虚回路与软压板配置规范附录B（资料性附录）过程层物理连接拓扑配置规范附录C（资料性附录）交换机模型规范附录D（资料性附录）二次虚回路可视化展示规范附录E（资料性附录）保护装置内部逻辑可视化展示规范16 DL /T 1663 2016附录A（资料性附录）过程层虚回路与软压板配置规范本配置规范描述了过程层患回路与软压板关联关系，实际应用中由IED设备生产广家提供或通过导出工具生成，宜采用Excel建立表格，过程层回路与软压板配置规范见表A.1。虚回路中有软压板需填写，虚回路中无软压板不用填写，每个虚端子占用一行（序号开始）。表 A.1过程层虚回路与软压板配置规范序号IED名称速编子引用路径虚端子描逐软压板引用路径软压板猎速PISV/SVINGGIO9.Anln1高压1 侧A相PROT/SVYBGGIO1.SPCSO1高压1 例SV电流接收软压板PT2201APIGO/GOINGGIOI.SPCSO1.sVal高压1侧失灵PIGO/GOYBGGIO1.SPCSO1高压1侧失灵联跳开入联跳开入软压板PIGO/H1PTRC1.Tr.general跌高压1侧PIGOHIPTRC1.TrSep跌高压1侧斯路器断路器软压板 DL / T 1663 2016附录B（资料性附录）过程层物理连接拓扑配置规范B.1IED端口配置GB/T32890《继电保护IEC61850工程应用模型》中规定了继电保护装置的端口配置方式，具体如下:SubNetwork nane=*Subnet_GOOSE* type=*IECG0OSE*BitRate unit=b/s multiplier=M10/BitRate)ConnectedAP iedNae=*TEMPLATE= apNane=G1GSE 1dInst=*PIGO* cbName=gocbO*)AddressP type=*MACAddress*010CCD010000/PP type=*VLANID*000/Pd/IOI8dNVad dd/000IddVu=d d)/AddressMinTime unit=s multiplier=*m2/MinTimeMaxTime unit=s multiplier=m5000/NaxTime/GSEPhysConn type=*RedConn*P type=*Port=7E/Pd/_8n[d=od dP type=*Type*F0C/PP type=Cable5/P/PhysConnPhysConn type=*RedConn*P type=*Port*7F/PP type=P1ugLC/Pd/30:adI=ad dP type=Cable6/P/PhysConn端口号应该唯一。基于这个原则，可以扩展到所有的IED设备，但括交换机等设备。B.2过程层物理连接拓扑配置确定过程层物理连接拓扑配置，实际上就是确定每根光纤的两头连接的设备的物理端口，分别把发送方和接收方的PORT信息写入到对侧，就可以获得整个过程层物理连接拓扑关系，如图B.1所示。9 DL / T 1663 2016工具从装置端口配置表中读入光纤的连接信息，形成过程层物理连接拓扑配置，IED1、IED2存储信息连接信息表示方式如下：B.2.1IED1存储信息连接信息表示方式PhysConn type=*RedConn*d/VI31od=od, dP type=*PlugLC/PP type=*Type*FOC/PP type=Cab1e*[/PPrivate type=*RenDevPort 1A/PrivatePrivate type==RenDeviedNaneIED2/Private/PhysConn互相写入端口信息PROT1PROT2IED1IED2图 B.1过程层物理连接拓扑配置图IED2存储信息连按信息表示方式PhysConn type=*RedConn*P type=Port 1A/PP types*P1ugLC/PP type=Type*FOC/PP type=Cable1/PPrivate ty