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本发明提供了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，在所述方法中，先形成梯形的牺牲结构，再形成第一掺杂多晶硅层，在牺牲结构的侧壁形成第一掺杂多晶硅层的倒斜面结构，后续刻蚀牺牲结构并形成梯形空腔，在空腔中外延生长，形成梯形的锗硅外延层，并在第一掺杂多晶硅层的表面上形成多晶锗硅层，侧壁处的多晶锗硅层呈斜面结构，使得第一掺杂多晶硅层侧壁处的倒斜面与多晶锗硅层外侧的斜面契合匹配，使得多晶锗硅层内侧的斜面与锗硅外延层侧壁处的斜面契合匹配，实现了基于锗硅外延层的内基区与基于第一掺杂多晶硅层的外基区的匹配连接，减
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504630 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310490087.4 H01L 29/167 (2006.01) (22)申请日 2023.05
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