5半导体元器件的基本知识.pptVIP

5.1 半导体二极管5.2 晶体管5.3 晶闸管;考试要求 1.了解半导体二极管单向导电性、伏安特性、主要参数。 2.会用万用表判别二极管的管脚极性及好坏。 3.理解三极管的电流放大作用。 4.会用万用表判别三极管的管脚及管脚极性。 5.掌握共发射极放大电路的工作原理。 6.理解三极管开关电路的工作原理。 ;5.1 半导体二极管;1.1 半导体器件及其特性;〔一〕本征半导体 结构特点;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;(二)杂质半导体;2.P型半导体 在本征半导体中掺入少量三价元素原子，称为空穴型半导体或P型半导体。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 pn ;〔三〕PN结 ; PN结形成过程分解：;2. PN结的单向导电性;PN结加正向电压的 情形;; PN 结反向偏置;三、二极管的构成及类型;2.类型;四、二极管的伏安特性;温度影响;二极管的主要参数;稳压二极管 1.符号和特性;2.主要参数;5.2 晶体管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;二.电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;三.特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性;2. 输出特性;IB=0;四.主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM;ICUCE=PCM;晶体管参数与温度的关系;5.3 晶闸管(Thyrister);功率等级: 几KA/几 KV 新品种: 快速,双向,逆导,可关断,光激发 特点:体小,轻重,效率高,反响快,高压大容量, 弱电控制强电(几十毫安控制几百几千安) 应用:整流,逆变(尤其在大功率场合)，?? ?;一．晶闸管的结构 符号：阳极A，阴极K，门极G〔控制极〕;外形：螺栓形和平板形两种;螺栓形： 螺栓—阳极A， 粗引线– 阴极K 细引线---门极G 特点： 安装方便 ;平板形： 两面分别为阳极A和阴极K 中间引出线---门极G 特点： 散热效果好，容量大; 晶闸管的外形与符号图;1．晶闸管的结构; 晶闸管内部管芯结构图;2．晶闸管导通关断条件;实验步骤：3 4;实验步骤：5 4;结论： 1 导通条件：UAK0 AND UGK0 (iG 0适当值) 关断条件： IA减小至维持电流以下。 UAK减小到零或加反压来到达 一旦导通，门极失去控制，故可用脉冲信号5.1 半导体二极管5.2 晶体管5.3 晶闸管;考试要求 1.了解半导体二极管单向导电性、伏安特性、主要参数。 2.会用万用表判别二极管的管脚极性及好坏。 3.理解三极管的电流放大作用。 4.会用万用表判别三极管的管脚及管脚极性。 5.掌握共发射极放大电路的工作原理。 6.理解三极管开关电路的工作原理。 ;5.1 半导体二极管;1.1 半导体器件及其特性;〔一〕本征半导体 结构特点;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;(二)杂质半导体;2.P型半导体 在本征半导体中掺入少量三价元素原子，称为空穴型半导体或P型半导体。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 pn ;〔三〕PN结 ; PN结形成过程分解：;2. PN结的单向导电性;PN结加正向电压的 情形;; PN 结反向偏置;三、二极管的构成及类型;2.类型;四、二极管的伏安特性;温度影响;二极管的主要参数;稳压二极管 1.符号和特性;2.主要参数;5.2 晶体管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;二.电流分配和放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;三.特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;1. 输入特性;2. 输出特性;IB=0;四.主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截