半导体器件蒸镀缺陷的检测方法.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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半导体器件蒸镀缺陷的检测方法.pdf

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一种半导体器件蒸镀缺陷的检测方法，包括对蒸镀完成的待测芯片进行加温，使所述待测芯片的导通阻抗增大，获取所述待测芯片的测量导通阻抗数据，根据所述测量导通阻抗数据判断所述待测芯片中是否存在蒸镀缺陷。由于通过使待测芯片升温，使得所述待测芯片内部的水气会在高温下呈现热胀冷缩，并且由于瞬间高电流的原因，污染、油渍等会出现碳化，从而使得待测芯片中接触不良的情形能够提前显现出来，增加了导通电阻的明显度，这样使得在电测时能够检测出电阻偏高的芯片，即这样才能够测量出来待测芯片的测量导通阻抗数据，通过获取待测芯片的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871316 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111131340.4 (22)申请日 2021.09.26 (71)申请人浙江里阳半导体有限公司