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2023-07-08 发布于四川
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一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的相对的侧处且包含二维金属质材料。栅极结构在第一二维金属质接触件与第二二维金属质接触件的中间设置在沟道区上。第一金属接触件相对于沟道区设置在第一二维金属质接触件的相对的侧处。第二金属接触件相对于沟道区设置在第二二维金属质接触件的相对的侧处。第一二维金属质接触件及第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871453 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111141899.5 H01L 29/417 (2006.01)