半导体结构的制备方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-07-08 发布于四川
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半导体结构的制备方法及半导体结构.pdf

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本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述方法包括：提供包括沟槽的基底，于所述沟槽内形成栅极结构，所述栅极结构的顶面低于所述沟槽的顶面；形成第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层覆盖所述栅极结构的顶面、所述沟槽的部分侧壁及所述基底的上表面；于所述沟槽内第一刻蚀阻挡层的上表面形成覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层与位于所述沟槽侧壁上的所述第一刻蚀阻挡层之间形成间隙；至少于所述间隙的顶部形成封口层，以在所述覆盖绝缘层的两侧形成空气间隙。本申请利用覆盖绝缘层两侧的空气间隙可以隔离栅极两侧有源区，减小相邻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871353 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202111128321.6 (22)申请日 2021.09.26 (71)申请人长鑫