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一种用于制造磁性存储器元件阵列的方法，其包含使用Ru硬掩模层及在所述Ru硬掩模层上形成的类金刚石碳硬掩模层。在晶片上沉积多个磁性存储器元件层，并在所述多个存储器元件层上沉积Ru硬掩模层。在所述Ru硬掩模层上沉积类金刚石碳层，并在所述类金刚石碳层上形成光致抗蚀剂掩模。然后执行反应性离子蚀刻以将所述光致抗蚀剂掩模的图像转移到所述类金刚石碳掩模上，并执行离子铣削以将经图案化的类金刚石碳掩模的图像转移到底层Ru硬掩模及存储器元件层上。然后可通过反应性离子蚀刻移除所述类金刚石碳掩模。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113826216 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202080030017.5 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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