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为了提供使晶片的处理的成品率得到提升的等离子处理装置或等离子处理方法,具备:处理室,其配置于真空容器内部,在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子;具有圆筒形的样品台,其配置于该处理室内,在上表面载置所述晶片;多个加热器,其配置于所述样品台的内部,配置于包含关于从中心向外周侧的径向在多个半径上绕着所述中心同心状配置的圆形的区域以及包围其外周的环状的区域的3个以上径向的区域的每一个区域,包含配置于至少1个所述环状的区域的关于绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域的每一个区域的加热器;多个温度传感器
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113826189 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202080004581.X (51)Int.Cl.
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