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一种用于制造垂直型JFET的方法，包括：提供具有第一导电类型的III族氮化物衬底；形成耦合至III族氮化物衬底的第一III族氮化物层，其中第一III族氮化物层由第一掺杂剂浓度和所述第一导电类型表征；在第一III族氮化物层内形成多个沟槽，其中多个沟槽延伸至预定深度；在沟槽中外延地再生长第二III族氮化物结构，其中第二III族氮化物结构由第二导电类型表征；形成分别耦合至第一III族氮化物层的多个III族氮化物鳍片，其中多个III族氮化物鳍片由多个凹陷区中的一者分隔开；在凹陷区中外延地再生长III族氮
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113823565 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110674239.7 (22)申请日 2021.06.17 (30)优先权数据 63/040,85
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