半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述基底，形成沟槽；在所述沟槽的底部形成防扩散区；形成所述防扩散区后，在所述沟槽中形成源漏掺杂层。通常将栅极结构下方且位于所述源漏掺杂层之间的区域作为沟道区，所述防扩散区使得源漏掺杂层中的掺杂离子不易穿过防扩散区向沟道区下方扩散，相应的，在半导体结构工作时，源漏掺杂层的源极和漏极的耗尽层不易扩展，从而源漏掺杂层的源极和漏极的耗尽层保持较大的间隔，使得源漏掺杂层不易穿通，有利于提高半导体结构的电学性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745114 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 20201