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本发明提供了一种半导体器件和LED芯片及其转移方法,LED芯片包括电极,通过在该电极背离LED芯片其他膜层的一侧设置凹槽,在LED芯片转移时利用该凹槽保护凹槽内部的键合材料不被刻蚀,从而可以实现只保留腔室区域内的键合材料,以实现LED芯片在转移过程中与基板之间的粘附力一致,继而提高LED芯片的拾取良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745384 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202010475798.0 (22)申请日 2020.05.29 (71)申请人 成都辰显光电有限公司
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