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本发明公开了一种改善大功率GaN芯片塑料封装热应力的封装结构及方法,包括:散热板和板体,所述散热板上设有芯片和引脚,所述芯片和引脚的上方间隔设有板体,所述板体通过连接体与散热板连接,所述散热板、板体、芯片以及引脚的部分表面通过塑封体封装。通过建立封装结构的三维模型并对其进行热应力分析,板体的设置能够有效降低芯片表面的热应力,并且选用弹性模量和热膨胀系数合适的板体,改善了常规大功率高散热需求的GaN芯片塑料封装由于封装结构各组合材料热膨胀系数不匹配引起的分层问题,大大降低了GaN芯片两端的热应力,
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115881649 A (43)申请公布日 2023.03.31 (21)申请号 202310145817.7 G06F 119/08 (2020.01)
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