一种集电极上置的氮化镓热电子晶体管器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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一种集电极上置的氮化镓热电子晶体管器件及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种集电极上置的氮化镓热电子晶体管器件及其制备方法，该氮化镓热电子晶体管器件包括：GaN自支撑衬底、n+GaN层、AlxGa1‑xN发射区、发射极、GaN基区、AlyGa1‑yN集电区、基极、n+GaN帽层、集电极和钝化层。该氮化镓热电子晶体管器件具有集电极上置结构，其集电区电容小，可以降低寄生电容效应，有利于器件在高频电路中的应用。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745330 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110866209.6 (22)申请日 2021.07.29 (71)申请人西安电子科技大学地址