半导体器件和形成半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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半导体器件和形成半导体器件的方法.pdf

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实施例器件包括：第一鳍，从隔离区域突出；第二鳍，从隔离区域突出；第一鳍间隔件，位于第一鳍中的一个的第一侧壁上，第一鳍间隔件设置在隔离区域上，第一鳍间隔件具有第一间隔件高度；第二鳍间隔件，位于第二鳍中的一个的第二侧壁上，第二鳍间隔件设置在隔离区域上，第二鳍间隔件具有第二间隔件高度，第一间隔件高度大于第二间隔件高度；第一外延源极/漏极区域，位于第一鳍间隔件上和第一鳍中，第一外延源极/漏极区域具有第一宽度；以及第二外延源极/漏极区域，位于第二鳍间隔件上和第二鳍中，第二外延源极/漏极区域具有第二宽度，第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745219 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110563403.7 (22)申请日 2021.05.24 (30)优先权数据