- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种形成具有改善通道区的薄膜存储晶体管(例如水平反或闸(HNOR)装置)的制程,通过保形地沉积一薄膜通道层于一空腔来与一源极及一汲极接壤,使得通道材料的一部份通过接面接触源极,以及通道层的另一部分通过接面接触汲极。该空腔也以一存储层为边界。在该制程的一种形式中,于形成该存储层之前形成该通道层。在该制程的一种形式中,于形成该通道层之前形成该存储层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113748466 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202080031720.8 (74)专利代理机构 北京寰华知识产权代理有限
有哪些信誉好的足球投注网站
文档评论(0)