形成三维水平反或型存储器阵列的制程.pdfVIP

形成三维水平反或型存储器阵列的制程.pdf

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一种形成具有改善通道区的薄膜存储晶体管(例如水平反或闸(HNOR)装置)的制程,通过保形地沉积一薄膜通道层于一空腔来与一源极及一汲极接壤,使得通道材料的一部份通过接面接触源极,以及通道层的另一部分通过接面接触汲极。该空腔也以一存储层为边界。在该制程的一种形式中,于形成该存储层之前形成该通道层。在该制程的一种形式中,于形成该通道层之前形成该存储层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113748466 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202080031720.8 (74)专利代理机构 北京寰华知识产权代理有限

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