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本发明公开了一种全桥功率模块的封装结构。全桥功率模块的封装结构包括引线框架，引线框架包括上桥基岛和下桥基岛；第一晶体管组件，第一晶体管组件包括m个间隔设置的第一金属氧化物半导体场效应晶体管晶粒；第二晶体管组件，第二晶体管组件包括m个第二金属氧化物半导体场效应晶体管晶粒；m个间隔设置的第一金属氧化物半导体场效应晶体管晶粒的漏极串联电连接；第二金属氧化物半导体场效应晶体管晶粒的漏极与第一金属氧化物半导体场效应晶体管晶粒的源极一一对应，且电连接；第二金属氧化物半导体场效应晶体管晶粒的漏极作为信号输出端
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725200 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202110986037.6 (22)申请日 2021.08.26 (71)申请人 深圳云潼科技有限公司
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