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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在待刻蚀层上形成沿第一方向延伸的核心层；在核心层侧壁形成第一侧墙；形成沿第一方向延伸的牺牲层，牺牲层与核心层沿第二方向间隔排列，第二方向垂直于第一方向，牺牲层顶面高于核心层顶面，牺牲层低于核心层顶面的部分作为底部牺牲层；在底部牺牲层和第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；在第二侧墙、牺牲层、第一侧墙和核心层露出的待刻蚀层上形成填充层，与第一侧墙和第二侧墙构成掩膜层；去除核心层形成第一凹槽，去除牺牲层形成第二凹槽；以掩膜层为掩膜刻蚀第一凹槽和第二凹槽下方的待刻蚀层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745152 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 20201
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