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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括依次层叠的N型In量子点层、InaGa(1‑a)N层和P型InbAlcGa(1‑b‑c)N/AldGa(1‑d)N超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能提升GaN基发光二极管量子局限能力，提升内部量子效率，进而提升产品发光效率。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344691 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310594512.4 (22)申请日 2023.05.25 (71)申请人 江西兆驰半导体有
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