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本发明提供了一种深紫外发光二极管及其制备方法，深紫外发光二极管包括封装支架和发光单元，封装支架包括凹槽，发光单元位于凹槽内，其中，发光单元包括齐纳二极管以及深紫外发光二极管芯片，深紫外发光二极管芯片与齐纳二极管并联连接；本发明提供的深紫外发光二极管通过将齐纳二极管与深紫外发光二极管芯片集成为一个发光单元，仅需一次固晶工艺就能将发光单元固定于封装支架的凹槽内，从而降低了深紫外发光二极管的制作成本，进而提高了深紫外发光二极管的生产效率。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344529 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310489949.1 (22)申请日 2023.04.25 (71)申请人 湖北优炜芯科技有
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