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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、插入层、过渡层、有源层、P型氮化物层；所述插入层上包括若干个氮化物三棱柱，所述氮化物三棱柱包括底面和侧面，所述底面与所述N型GaN层相贴合，所述侧面为半极性面；所述过渡层包括周期性交替层叠的半极性面GaN层和半极性面InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够使得极性面有源层成功转换为半极性面有源层，改善了电子泄漏问题的同时，提升了量子阱层中的空穴浓度，
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344690 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310421472.3 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人 江西兆驰半导体有限公司 地址 3
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