半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底表面的外延层，所述外延层中包括用于形成沟槽栅极结构的栅极区域；掩膜层，位于所述外延层表面覆盖所述栅极区域，所述掩膜层的材料为半导体材料；屏蔽结构，位于所述栅极区域两侧的外延层中，所述栅极区域的长度小于所述屏蔽结构的长度。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，在沟槽栅极结构两侧形成屏蔽结构，可以提高具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET中沟槽栅极结构底部边缘的电场控制能力以及工艺效率，此外利用半导

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344346 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310396374.9 (22)申请日 2023.04.14 (71)申请人飞锃半导体（上海）有限公司地址