一种无接触限域生长的石墨烯制备方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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一种无接触限域生长的石墨烯制备方法.pdf

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本发明涉及石墨烯材料的技术领域，公开了一种无接触限域生长的石墨烯制备方法。该石墨烯制备方法包括：在CVD炉内腔设置阻隔层和冷源，所述阻隔层上设置有贯穿其厚度的限制结构，所述限制结构与所述冷源相接；将所述生长衬底置于所述阻隔层下方，所述阻隔层与所述生长衬底之间间隔有距离，所述限制结构在所述生长衬底上的正投影区域即为石墨烯的生长区域；使用卷对卷CVD工艺制得石墨烯样品。本发明改进现有的石墨烯制备方法，以提升图案化石墨烯的制备品质，并兼容卷对卷CVD制备工艺，因无接触式调控，没有在生长衬底上引入阻隔层

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116332165 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310394529.5 (22)申请日 2023.04.13 (71)申请人广东墨睿科技有限公司地址 52