一种真空器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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一种真空器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种真空器件及其制备方法，方法包括：对SOI衬底图形化，形成包括径向尺寸最小处的纳米窄小结构；栅介质层包裹纳米窄小结构；进行氢气退火，使径向尺寸最小处断开，形成将顶半导体层分隔为阳极区和阴极区的断面结构，栅介质层与纳米窄小结构使断面结构形成密闭腔，形成真空器件。本发明通过设置纳米窄小结构并通过氢气退火形成断面结构，得到阴阳极间隔为纳米级的真空器件，以形成较大场强和导通电流；同时利用纳米悬梁结构实现控制能力更强的全环绕栅的真空器件；另外，配合设置纳米悬梁结构下的空腔仅设置在顶半导体层，进

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344292 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310326529.1 (22)申请日 2023.03.30 (71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术