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本发明涉及一种具有涂层的发光芯片及其制作方法,属于半导体器件技术领域。所述具有涂层的发光芯片依次包括衬底、连接第一电极的第一半导体层、有源层、涂层和连接第二电极的第二半导体层;衬底中掺杂有铝,且衬底中铝的含量向生长侧递增;有源层为多个InxGa1‑xN层/AlyGa1‑yN垒层/GaN垒层交替结构,在InxGa1‑xN层中,0.3≤x≤0.4,x取值不变;在各AlyGa1‑yN垒层中,0.1≤y≤0.3,y取值沿生长方向递减,递减率为10~20%;所述涂层包括InP/InGaAs纳米线涂层。本发
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344689 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310602155.1 H01L 33/00 (2010.01)
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