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一种折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法，该折叠沟道氮化镓基场效应晶体管包括：基础层；多异质结层，包括在氮化镓半绝缘层上自下而上交替堆叠形成的沟道层和势垒层；氮化镓调控层，在多异质结层上从沟道区的一侧延伸到至少一部分沟槽；电流坍塌抑制结构，在多异质结层上形成于沟道区的另一侧，并与氮化镓调控层通过另一部分沟槽隔开；源极和漏极，在氮化镓半绝缘层上分别与多异质结层的两侧接触，漏极与电流坍塌抑制结构的侧面与部分上表面接触；栅极，形成于源极与氮化镓调控层之间的异质结上；连接结构，穿过栅极的上方电连接源
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344586 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310431333.9 (22)申请日 2023.04.21 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 1
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