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本发明属于半导体技术领域,提供了一种提高溅射镀膜稳定性的方法,本发明在溅射镀膜的过程中,通过靶材初始厚度、靶材利用率、靶材实际使用寿命、靶材极限使用寿命计算出靶材和基片的间距变化量,当靶材和基片的间距变化量达到指定的d时,将基片向上移动d,使得靶材和基片之间的间距恢复至h,然后重复该调节的步骤,最终制得薄膜;本发明的方法保证了在溅射镀膜的量产过程中,保持靶材和基片的间距不变,还通过靶材实际使用寿命来计算d,精准地控制调节靶材和基片的间距的时机,提高溅射镀膜稳定性,所制得薄膜膜质特性一致,尤其适用
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288208 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310280854.9 (22)申请日 2023.03.13 (71)申请人 深圳市矩阵多元科
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