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本发明公开了一种HEMT射频器件的制作方法，是在衬底上形成NiFe2O4材料层，然后对NiFe2O4材料层进行退火处理使NiFe2O4材料层形成若干磁致伸缩单元，所述磁致伸缩单元具有向上凸起的弧面，在其上生长包括氮化物异质结的HEMT外延材料层，然后制作源极、漏极和栅极。将具有弧面凸起的磁致伸缩单元应用于HEMT材料结构改进，磁致伸缩凸起单元在磁场作用下发生形变，对HEMT外延材料层施加应力，阻碍了沟道层/势垒层的晶格变形，保持氮化物异质结的动态电阻不变，有效抑制了电流崩塌效应，提升了器件的性能
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116313797 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310296750.7 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司 地址
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