一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器.pdfVIP

下载本文档

8
0
约1.16万字
约 13页
2023-06-26 发布于四川
举报
版权申诉

一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器，属于集成光子器件技术领域。所述逆向设计方法包括：将器件待优化区域均匀等分为一定大小的像素单元；在像素单元的中心刻蚀不同半径大小的空气柱，以改变设计区域的拓扑结构；定义品质因数描述设计器件性能的优劣；设计梯度逆向设计算法计算每个像素单元的刻蚀孔径的梯度信息，根据梯度信息更新每个像素单元的刻蚀孔径；算法不断迭代更新直至收敛。此设计算法也可以应用于其他硅基器件的制造，提高设计效率；并首次提出梯度逆向设计方法应用于设计模斑转换器，实现了尺寸仅

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116299858 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310298664.X (22)申请日 2023.03.22 (71)申请人中国地质大学（武汉）地址 43