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本发明公开了具有光电流响应的锌配合物半导体晶体材料及其制备方法与用途。具体地，该晶体材料属于三斜晶系，空间群为P‑1，分子式为C82H54N4O10S4Zn，分子量为1449.02，晶胞参数α＝71.741(2)°，β＝78.251(2)°，γ＝79.792(2)°；所制备的材料具有明确的空间结构和准确的分子式，其作为光电流响应的半导体材料，在室温下该材料具有良好的氧化还原性能和光电流响应性能，具有广泛的应用前景。该技术具有操作简单、成本低、性能稳定、适合规模化生产等优点。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288730 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310292481.7 H10K 30/00 (2023.01) (22)申请日 2023.03.
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