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本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种利用封装打线电阻实现过流保护的电路,包括电源VDD,偏置电流IBIAS,负载电流ILOAD,PMOS管M1、M2、M3、M4、POWER,NMOS管M5、M6,电阻R2,封装打线电阻R3、R4,打线VOUTAPAD、VOUTPPAD,芯片管脚VOUT。本发明在使用时,可以直接检测负载电流,不受MOSFET二级效应的影响,且可用公式精确计算,精度高,同时去掉了M7和R1,节省版图面积,相较于现有技术,本申请有效规避了现有过流保护电路的缺点,在提高过流保护精
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437725 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110686308.6 审查员 郑悦 (22)申请日 2021.06.21
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