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本发明公开了一种分层结构CuS纳米花、制备方法及其作为应用,属于微纳米材料合成领域。本发明的制备方法以成本较低的铜源、硫源作为反应原料,通过金属离子的掺杂制备出CuS纳米材料。本发明原料易得,工艺简单,成本较低,适合工业化生产,应用前景广阔。本发明的制备方法,通过改变反应参数可以对CuS纳米材料的尺寸进行调控,制备出的CuS纳米材料形貌特征鲜明,具有独特的分层结构纳米花形状,作为钠离子电池负极材料,具有较好的电化学性能。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113428889 B (45)授权公告日 2022.07.15 (21)申请号 202110910604.X H01M 10/054 (2010.01)
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