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本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：去除漂移层上的导电沟道形成无源结构；在无源结构的漂移层上形成第一源极金属和第一漏极金属；第一栅极金属位于第一源极金属和第一漏极金属之间；在第一栅极金属上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成源场板，由于第一开路测试结构与实际器件结构高度相似，其区别仅在于通过微电子或半导体制备工艺将导电沟道去除，使得第一开路测试结构形成无栅控功能的无源测试结构，如此，在配合现有开路去嵌入结构时，能够完全去除Cpg和Cpd，包括Cpg1、Cpg2、Cp
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113436974 B (45)授权公告日 2022.06.24 (21)申请号 202110718604.X H01L 29/778 (2006.01)
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