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本发明公开了一种基于自旋轨道转矩的电流调控磁性随机存储器。本发明从上到下依次为保护层、薄膜层、导电层、缓冲层，所述导电层用于接入控制电流，从而调控薄膜层垂直各向异性的大小，来调节磁性随机存储器的电阻。其中薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层从上到下由Pt、Co、Pt、Co结构构成，当沿平行于传感器件厚度方向通入的调控电流Is为一固定值时，传感器件横向两电极通入恒定电流I，检测薄膜层的电阻值的变化，当连续通入同一方向固定电流时电阻会连续改变其阻值。本发明可以通过电流调控，
(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437210 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110703321.8 H10N 50/85 (2023.01)
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