半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区之外的无源区；在有源区上制作源极、栅极和漏极，在无源区上制作栅极焊盘和漏极焊盘；将栅极和栅极焊盘进行金属互连，将漏极和漏极焊盘进行金属互连，以形成第一器件结构；在第一器件结构的源极上形成源极测试焊盘。该半导体器件通过上述的制备方法制备得到。该制备方法能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113436982 B (45)授权公告日 2022.05.31 (21)申请号 202110724992.2 H01L 23/482 (2006.01)