测序芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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测序芯片及其制备方法.pdf

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一种芯片基质、测序芯片及其制备方法，该芯片基质包括：晶圆层(111)，所述晶圆层(111)上具有均匀分布的切割线；第一氧化硅层(112)，所述第一氧化硅层(112)由氧化硅构成，形成在所述晶圆层(111)的上表面；过渡金属氧化物层(113)，所述过渡金属氧化物层(113)由过渡金属氧化物构成，形成在所述第一氧化硅层(112)的上表面。该芯片基质具有耐高温、耐高湿度等苛刻环境的特点，同时，通过改变含有待测序序列溶液的pH及表面活性剂等成分，可以使得芯片基质表面功能区特异性吸附待测序序列。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113396229 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 201980090338.1 (74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事