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2023-06-22 发布于四川
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实施方式的半导体装置具备：半导体部的背面上的第1电极；表面侧的第2电极；和第1及第2控制电极，在第2电极与半导体部之间，配置于在半导体部设置的沟槽的内部。所述第1控制电极通过第1绝缘部与半导体部电绝缘。所述第2控制电极在沿着所述半导体部的所述表面的方向上与所述第1控制电极并排，并通过第2绝缘部与所述半导体部电绝缘。所述半导体部包括第1导电型的第1层、第2导电型的第2层、所述第1导电型的第3层和所述第2导电型的第4层。所述第2层设置于所述第1层与所述第2电极之间。所述第3层及所述第4层选择性地设置

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437140 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202010817678.4 (22)申请日 2020.08.14 (30)优先权数据