半导体存储装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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半导体存储装置及其制造方法.pdf

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本发明的实施方式提供一种能够提升三维NAND型闪存的可靠性的半导体存储装置及其制造方法。本发明的实施方式的半导体存储装置具备：第1构造体，交替地堆叠有多个第1导电膜及多个第1绝缘膜；第1柱状体，分别贯通第1构造体而配置，并在半导体衬底侧具有第1外延生长层；以及第2柱状体，在半导体衬底侧具有第2外延生长层；且在第2外延生长层的一部分掺杂有硼。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410247 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202010799599.5 (22)申请日 2020.08.11 (30)优先权数据 2020-0468