一种多次套刻的方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种多次套刻的方法.pdf

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本发明公开了一种多次套刻的方法，属于半导体微纳制造技术领域，包括：清洗基片；在基片上旋涂电子抗蚀剂；电子束曝光图形并同时在需要套刻图形附近曝光mark标记阵列；对旋涂电子抗蚀剂显影；对第一次套刻的图形及mark同时刻蚀；去除电子抗蚀剂；在基片上旋涂电子抗蚀剂；使用上一次加工的需套刻位置附近的刻蚀mark作为套刻标记，电子束套刻图形并同时曝光mark标记阵列；对旋涂电子抗蚀剂显影；对上一次套刻的图形及mark同时刻蚀；去除电子抗蚀剂；完成最后一次套刻及刻蚀。本发明解决了相邻两次套刻偏差的累积、及场

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394083 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110718354.X G03F 9/00 (2006.01) (22)申请日 20