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本发明涉及一种基于提拉法的晶体生长界面形状的探测方法，所述探测方法在晶体生长过程中，同时采集籽晶温度T和界面电动势U，获取界面电动势U随籽晶温度T变化的T‑U曲线，通过观测所述T‑U曲线与基准线的偏差实时判断晶体生长界面形状的变化趋势；所述基准线是经过所述T‑U曲线的起始点、斜率为所述晶体的塞贝克系数的直线。本发明还涉及所述方法使用的装置。本发明所述的探测方法能在晶体生长过程中实时探测晶体生长界面形状的变化趋势，可以应用于铌酸锂、钽酸锂、蓝宝石、钇铝石榴石等多种单晶的提拉法生长设备。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113417004 B
(45)授权公告日 2022.05.20
(21)申请号 202110584164.3 审查员 石慧君
(22)申请日 2021.05.27
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