一种半导体器件的隔离结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种半导体器件的隔离结构及其制造方法.pdf

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本申请提供一种半导体器件的隔离结构及其制造方法，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部的第一氧化层。侧墙可以保护深槽顶部两侧的氧化层不被腐蚀掉，防止深槽顶部两侧的氧化层的损失对器件特性产生的不利影响，节约了工艺成本。由于最终形成的隔离结构保留有侧墙，并没有将侧墙移除，可以避免深槽附近氧化层留膜过薄而对器件性能产生的不利影响，对于该半

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394270 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110809017.1 (22)申请日 2021.07.16 (71)申请人杭州士兰集成电路有限公司