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2023-06-22 发布于四川
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半导体存储器装置.pdf

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一种半导体存储器装置包括：下堆叠结构，包括沿第一方向堆叠在基底上的下金属线；上堆叠结构，包括顺序地堆叠在下堆叠结构上的第一上金属线和第二上金属线；竖直结构，穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道膜；连接垫，设置在竖直结构上，与沟道膜接触并掺杂有N型杂质；第一切割线，切割下金属线、第一上金属线和第二上金属线；第二切割线，在不同于第一方向的第二方向上与第一切割线间隔开，并且切割下金属线、第一上金属线和第二上金属线；以及子切割线，在第一切割线与第二切割线之间切割第一上金属线和第二上金属线。沟道膜包括未

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410249 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110181187.X (22)申请日 2021.02.09 (30)优先权数据