半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本公开涉及半导体结构及其形成方法。一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底中形成漂移阱，其中，漂移阱包括具有第一导电类型的第一掺杂剂；在漂移阱之上形成隔离结构；在漂移阱中并且与隔离结构间隔开地形成阱区域，使得漂移阱的顶部在阱区域与隔离结构之间；利用具有与第一导电类型不同的第二导电类型的第二掺杂剂来掺杂顶部，使得在掺杂顶部之后，顶部中的第二掺杂剂的掺杂浓度低于顶部中的第一掺杂剂的掺杂浓度；以及形成栅极结构，该栅极结构从隔离结构延伸到阱区域并且覆盖漂移阱的顶部。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410139 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202010625450.5 (22)申请日 2020.07.02 (71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司