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2023-06-22 发布于四川
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本发明适用于激光器领域，公开了激光发射装置，包括外壳、泵浦源和沿光路依次设置的反射镜、被动调Q元件、激光工作介质、输出镜，泵浦源包括半导体激光器、反射元件、温度控制结构和设置在反射元件与外壳之间的绝热板，半导体激光器包括半圆环件和若干根巴条，若干根巴条以半圆周排布的方式封装在半圆环件上，激光工作介质夹持在反射元件的反射腔与半圆环件之间，温度控制结构包括设置在反射元件上的热沉、设置在热沉上的半导体制冷器和设置在半导体制冷器上的散热器，半圆环件设置在热沉面向反射腔的侧面上，该激光发射装置能够有效的对

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113422281 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110758101.5 H01S 3/08 (2006.01)