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本发明公开了一种能增加射频放电强度的干法刻蚀射频放电增强方法。本发明还提供了一种用于执行所述干法刻蚀射频放电增强方法中步骤的计算机可读存储介质,以及一种能增加射频放电强度的干法刻蚀设备。本发明提供干法刻蚀射频放电增强方法,采用射频源激发产生等离子体,在发生射频辉光放电同时,引入脉冲放电。来增强射频放电强度,进而改善干刻工艺和提高产能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394091 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110514730.3 (22)申请日 2021.05.10 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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