存储器器件、半导体器件以及存储器器件的制造方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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存储器器件、半导体器件以及存储器器件的制造方法.pdf

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本公开提供一种存储器器件、一种半导体器件以及一种所述存储器器件的制造方法。存储器器件包括第一至第三堆叠结构、第一与第二沟道结构、栅极介电层、切换层、以及第一与第二栅极结构。第一、第二及第三堆叠结构在侧向上彼此间隔开，且分别包括导电层、隔离层及沟道层。第三堆叠结构位于第一与第二堆叠结构之间。第一沟道结构在第一与第三堆叠结构中的沟道层之间延伸。第二沟道结构在第二与第三堆叠结构中的沟道层之间延伸。栅极介电层及第一栅极结构包绕第一沟道结构。切换层及第二栅极结构包绕第二沟道结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394231 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110672409.8 H01L 27/11597 (2017.01) (22)申请日