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2023-06-22 发布于四川
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半导体装置.pdf

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本发明提供能够减小特性变动的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1元件区域。第1元件区域包括第1～第3半导体区域、第1、第2导电层。第1半导体区域为第1导电型。第2导电层在第1半导体区域与第3部分区域肖特基接触。第2半导体区域为第2导电型。第3半导体区域为第1导电型。第3半导体区域的至少一部分在第2方向上位于第1部分区域与第1半导体部分之间。第3半导体区域中的第1导电型的杂质的浓度高于第1部分区域中的第1导电型的杂质的浓度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394289 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202010951166.7 (22)申请日 2020.09.11 (30)优先权数据 2020-0418